隨著各種電器和電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用，電磁污染日益加劇。我們進(jìn)行屏蔽性能測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的探討是為了減少這種電磁污染，在整個(gè)電子系統(tǒng)中，所有單元組件尤其是電纜組件及射頻連接器等接插件應(yīng)當(dāng)采取屏蔽措施。為了對(duì)各種不同的屏蔽結(jié)構(gòu)進(jìn)行屏蔽效果的比較，就需要一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)化的測(cè)量方法，來(lái)進(jìn)行對(duì)屏蔽衰減的測(cè)試，從而代替對(duì)轉(zhuǎn)移阻抗的測(cè)試。而與以mΩ/m 或mΩ為計(jì)量單位的轉(zhuǎn)移阻抗相比，RF 電纜、電纜組件和接插件的用戶也更加關(guān)注以分貝（dB）計(jì)量單位的屏蔽性能，即屏蔽衰減。

CoMeT測(cè)試系統(tǒng)是由CoMeT測(cè)試套管及相應(yīng)的網(wǎng)絡(luò)分析儀組成。通過該系統(tǒng)的封閉測(cè)試裝置，可以測(cè)試出大于125dB的屏蔽衰減和**到μOhm的轉(zhuǎn)移阻抗。采用CoMeT 測(cè)試管系統(tǒng)可以根據(jù)下列國(guó)家、地區(qū)或國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)來(lái)進(jìn)行對(duì)轉(zhuǎn)移阻抗、屏蔽衰減及耦合衰減的測(cè)試。

屏蔽性能測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的探討之國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)：

IEC 61196-1，同軸電纜：第壹部分通用規(guī)格，12.2 條款，表面轉(zhuǎn)移阻抗，

IEC 61196-1-A，第壹修訂版，屏蔽衰減測(cè)試法

IEC/PAS 62338 ED1，耦合衰減，三同軸測(cè)試法

屏蔽性能測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的探討之區(qū)域標(biāo)準(zhǔn)（歐洲標(biāo)準(zhǔn)）：

EN 50289-1-6 A：轉(zhuǎn)移阻抗，（三同軸測(cè)試法）

EN 50289-1-6 C：屏蔽衰減（三同軸測(cè)試法）

屏蔽性能測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的探討之國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)（德國(guó)標(biāo)準(zhǔn)）：

DIN 47250 第4 部分，高頻電纜電路，3.11 條款，轉(zhuǎn)移阻抗

E DIN IEC 61196-1 高頻電纜，第壹部分，專業(yè)基礎(chǔ)說明－總論，定義、要求及測(cè)試方法 12.2 條款 轉(zhuǎn)移阻抗，三同軸測(cè)試法

VG 95214-12 被屏蔽元器件的轉(zhuǎn)移阻抗和屏蔽衰減的測(cè)試方法，第12 條款：KS12B 測(cè)試方法，轉(zhuǎn)移阻抗，三同軸測(cè)試法

VG 95214-13 被屏蔽元器件的轉(zhuǎn)移阻抗和屏蔽衰減的測(cè)試方法，第13 條款：KS13B 測(cè)試方法，屏蔽衰減，三同軸測(cè)試法

使用CoMeT 測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試接插件和組合電纜的屏蔽衰減標(biāo)準(zhǔn)尚在制定中。IEC TC46/WG 正在將CoMeT管中管測(cè)試法制定成測(cè)試屏蔽性能的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。

屏蔽性能測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的探討之電磁兼容（EMC）行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)：

IEC 62153-4-x 系列: 金屬通信電纜測(cè)試方法，第四部分

? IEC 62153-4-3: 表面轉(zhuǎn)移阻抗 –三同軸測(cè)試方法

? IEC 62153-4-4: 屏蔽衰減,到 3 GHz頻率的屏蔽衰減測(cè)量方法

? IEC 62153-4-7: 屏蔽衰減, 通信電纜轉(zhuǎn)移阻抗 ZT的測(cè)試方法以及RF連接器和電纜以及電纜組件3GHz以內(nèi)屏蔽衰減測(cè)試方法，管中管方法

? IEC 62153-4-9, (IEC/PAS 62338 Ed1): 平衡電纜屏蔽衰減測(cè)試方法, 三同軸法

屏蔽性能測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的探討之中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

國(guó)軍標(biāo)GJB1217-1991 方法3008 模式攪拌法，10GHz多接觸件連接器屏蔽效果測(cè)試(非適用)